突破技术难题！氮化镓半导体市场规模预计到2026年突破423亿美元，年复合增长135%

发布日期：2024-09-22 19:20

来源类型：半岛都市报 | 作者：张彤彤

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第三代半导体材料氮化镓产业化进程加速，市场前景广阔

第三代半导体材料氮化镓在快充器件、新能源车载电源、5G基站等领域的应用日益广泛，已成为资本市场的热门投资领域。市场调研机构预测，到2026年，全球氮化镓电子和光电子材料及器件市场规模将突破423亿美元，年均复合增长率约为13.5%，显示出强劲的增长潜力。

北京大学物理学院教授沈波团队在产业化应用上取得突破，推动了科研成果在顺义区第三代半导体产业园的落地，成立了北京中博芯半导体有限公司。沈波表示，公司的主要目标是在2024年实现氮化镓外延片销售的大幅提升，并已在技术领域取得了国家技术发明奖。

产业化应用实现突破

中博芯通过技术创新，有效解决了氮化镓外延材料生长过程中的技术难题，实现了产业化应用。公司拥有LED外延用高温MOCVD、大尺寸Si基GaN外延用MOCVD、4英寸芯片线等设备，覆盖了产业链的关键环节。

资本关注与支持

中博芯在成立之初就获得了资本市场的关注，元培基金等专业投资机构对其技术和市场前景给予了高度评价。资本的早期介入为氮化镓外延材料的产业化进程提供了有力支持。

市场机遇与挑战并存

尽管国内氮化镓外延材料技术已达到全球领先水平，但市场需求尚未充分满足，供应偏紧。企业需要具备完整的工艺能力，使用不同衬底生长优质外延材料，并在设备领域研发出替代进口的国产设备，以抓住市场机遇。

和讯自选股写手

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